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YFLEX (TM) 共通データ

スルーホールめっき工法との比較

スルーホールめっき工法FPCのVia構造

従来のスルーホールめっき工法

YFLEXのVia構造

バンプ接続工法

○ めっき不要
○ 導体厚さ一定
○ 高い柔軟性


バンプビルドアップ工程
2-layer double-sided circuit board manufacturing process

バンプビルドアップ工程

両面層構成

両面層構成

配線板構成例

材質
絶縁基材
液晶ポリマー(厚さ: 25μm、50μm)
導電材
銅(厚さ: 9μm、12μm、18μm、35μm)
バンプ材
銀ペースト
Ag系導電性樹脂
カバーレイ材
熱硬化型レジスト、フォトセンシティブレジスト、ポリイミド

設計ルール

標準 最小
線幅/スペース幅 60/60μm 30/30μm
バンプ径 250μm 150μm
ランド径 400μm 250μm
1バンプ当たりの最大電流容量 100mA 50mA
表面処理方法(銅) ソフトAuメッキ処理
ハードAuメッキ処理

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LCP材の吸湿特性および誘電率データ

絶縁破壊強さ (Vx) の高湿低下率

絶縁破壊強さ (Vx) の高湿低下率

誘電率

誘電率

吸湿寸法変化率

吸湿寸法変化率

試験データ


条件 試験結果
1バンプあたりの抵抗値試験 常温、常湿 6mΩ以内
温度サイクル試験 - 55℃〜 + 125℃、1000cycle 抵抗変化率 6%以内
高温保持試験 + 125℃、1000h 抵抗変化率 6%以内
低温保持試験 - 40℃、1000h 抵抗変化率 6%以内
高温高湿試験 85℃、90%RH、1000h 抵抗変化率 6%以内
イオンマイグレーション試験 40℃、90%RH、60VDC、1000h 異常なし
銅箔引き剥がし強度試験 90°ピール(銅厚さ 35μm) >0.8KN/m
はんだ耐熱試験 260℃、20sec 異常なし
誘電率 (1GHz) ブリッジ法 2.8
誘電正接 (1GHz) ブリッジ法 0.0025
吸水率 23℃、24h <0.04%
熱膨張係数 TMA法 (Thermo-Mechanical Analysis) 横方向 x: 12ppm/℃
縦方向 y: 16ppm/℃
厚さ方向 z: 約100ppm /℃

※測定方法 JIS C 6481-1996

  • 上記試験データは製品の保証データではありません。
    ご使用者ご自身の責任において、使用目的、使用条件をご検討の上ご使用ください。

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